| 专利名称 | 多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法 | 申请号 | CN200410018444.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1700485 | 公开（授权）日 | 2005.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李国荣;殷庆瑞;张望重;郑嘹赢 | 主分类号 | H01L41/107 | IPC主分类号 | H01L41/107;H01L41/083;H01L41/24 | 专利有效期 | 多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法 至多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及 其制作方法，其特征在于：多层片状自耦合式压电陶瓷降压变 压器是由作为电压输入的二组多层压电陶瓷1和夹 在这二组多层陶瓷之间作为输出端的一组多层压电陶瓷2组成 变压器的。其中变压器的多层压电陶瓷采用轧膜和流延方法经 多层共烧结制。该变压器具有体积小、输入和输出端不共地连 接、结构设计灵活的特点。其降压比可调，最大可达0.16，功 率转换效率高达98％，有望可广泛应用于新一代的移动通讯、 手机等电子产品中。 |
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