| 专利名称 | 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 | 申请号 | CN200410047532.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1700421 | 公开（授权）日 | 2005.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤;刘明;赵玉印 | 主分类号 | H01L21/28 | IPC主分类号 | H01L21/28;H01L21/027;H01L21/336;H01L21/8234 | 专利有效期 | 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 至一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方 法，其主要步骤如下：(1)在超薄栅介质上淀积多晶硅，然后淀 积TEOS SiO2薄膜；(2)光刻栅图 形；(3)胶的灰化；(4)氟化和烘烤；(5)反应离子腐蚀TEOS SiO2；(6)去胶清洗；(7)湿法化学 腐蚀TEOS SiO2，达到需要线宽 止。本发明可制备15－50纳米线宽的多晶硅栅刻蚀掩膜图形。 |
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