| 专利名称 | 15－50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 | 申请号 | CN200410047533.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1700426 | 公开（授权）日 | 2005.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤;赵玉印 | 主分类号 | H01L21/3065 | IPC主分类号 | H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/3213 | 专利有效期 | 15－50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 至15－50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法，主要步骤 为：(1)采用电子束光刻或光学光刻结合胶的灰化处理工艺和硬 掩膜修整技术，获得15－50纳米线宽的硬 SiO2掩膜图形；(2)以 SiO2作硬掩膜，利用 CF4、 Cl2、HBr、 O2等气体，采用4步反应离子刻 蚀工艺，可以获得陡直的多晶硅栅刻蚀剖面。多晶硅栅对其下 的SiO2栅介质的刻蚀选择比远 大于500∶1，对物理厚度为1.3纳米的 SiO2栅介质无损伤。 |
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