| 专利名称 | 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法 | 申请号 | CN200410038260.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1700449 | 公开（授权）日 | 2005.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈弘;王晶;贾海强;郭丽伟;周均铭;李卫;汪洋;邢志刚 | 主分类号 | H01L21/84 | IPC主分类号 | H01L21/84;H01L21/02;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/00 | 专利有效期 | 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法 至一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方 法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层； 利用光刻技术沿[1100]或[1120]方向光刻条形二 氧化硅掩膜图形；用硫酸、或硫酸与磷酸的混合液作为腐蚀液 湿法腐蚀该衬底；最后再用稀的氢氟酸溶液腐蚀二氧化硅掩膜 层，即可得到蓝宝石图形衬底。本发明提供的方法采用直接形 成图形的衬底生长外延层，避免了采用二氧化硅层条纹衬底生 长时对生长层的污染；与干法刻蚀相比湿法刻蚀有利于保护衬 底免受损伤和污染，降低成本；在得到的图形衬底上外延生长 GaN基时，穿透位错方向由垂直偏转为水平，从而减小GaN 基外延层穿透位错的密度，提高外延层晶体质量，降低半导体 发光材料的非辐射复合中心，增强辐射复合。 |
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