| 专利名称 | 三芳胺类衍生物的低温制备方法及应用 | 申请号 | CN200510016768.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1696107 | 公开（授权）日 | 2005.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 王利祥;杨继华;逄束芬;王兴东;程延祥;吕剑虹;耿延候;谢志元 | 主分类号 | C07C211/54 | IPC主分类号 | C07C211/54;C07C211/57;C07C209/10;C07D209/86 | 专利有效期 | 三芳胺类衍生物的低温制备方法及应用 至三芳胺类衍生物的低温制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种用于电致发光器件的空穴传输和 注入材料——三芳胺类衍生物的低温制备方法，属于电子技术 材料领域。采用铜粉和邻菲咯啉为催化剂，在氢氧化钾存在下， 普通芳烃为溶剂，以卤代芳烃为原料，与二芳胺或咔唑在较低 温度下(120－150℃)反应5小时，通过适当的后处理过程获得 三芳胺类衍生物。利用该方法获得的这类产物为粉末状，纯度 较高，可以不经过色谱柱分离，而直接采用升华方法完成产物 的纯化精制。 |
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