| 专利名称 | 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法 | 申请号 | CN200510025560.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1694322 | 公开（授权）日 | 2005.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 赵广军;徐军;介明印;苏良碧;徐晓东;张连翰;何晓明 | 主分类号 | H01S3/16 | IPC主分类号 | H01S3/16;C30B29/00;C30B15/00 | 专利有效期 | 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法 至掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法，该激光 晶体的分子式为： Yb2xGd2(1－ x) SiO5，其中x 的取值范围为：0.001≤x≤0.4。其制备方法包括配料、混合粉 料、烧结、籽晶、提拉法生长和退火处理等步骤。本发明掺镱 硅酸钆激光晶体是一种宽调谐超快激光晶体，具有：宽发射 1010－1100nm，离子反转数β＝0.5时，半高宽约为70nm；较 高的热导率；晶体生长容易，物化性能稳定等优点。 |
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