| 专利名称 | 室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法 | 申请号 | CN200510026024.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1693858 | 公开（授权）日 | 2005.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 禇君浩;林铁;孙璟兰;石富文;胡志高;陈静;孟祥建 | 主分类号 | G01J5/20 | IPC主分类号 | G01J5/20;H01L31/09 | 专利有效期 | 室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法 至室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种室温铁电薄膜红外焦平面探 测器的吸收层及制备方法，所说的吸收层是置在焦平面探测器 的上电极层上的，或者是置在焦平面探测器的铁电薄膜上的钛 与二氧化钛混合的多孔薄层。制备方法首先采用直流磁控溅射 方法将金属Ti溅射铁电薄膜上或上电极层上，然后利用化学 腐蚀的方法，将钛膜腐蚀成多孔态，目的是为了降低薄膜中自 由电子密度，将其等离子吸收边调节到探测器应用的红外波 长。薄膜多孔结构中高密度的表面态对入射进来的电磁波进一 步吸收使之不同于通常金属。本发明的优点：与常规的金黑吸 收层工艺相比，本吸收层制备工艺简单，可以通过光刻以及腐 蚀或干法刻蚀等途径制备成分立灵敏元结构。 |
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