| 专利名称 | 线性磁场传感器及其制作方法 | 申请号 | CN200510072052.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1687802 | 公开（授权）日 | 2005.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;韩秀峰;李飞飞;姜丽仙;张谢群;詹文山 | 主分类号 | G01R33/06 | IPC主分类号 | G01R33/06;H01L43/00;H01L43/12 | 专利有效期 | 线性磁场传感器及其制作方法 至线性磁场传感器及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种隧道结线性磁场传感器及其 制作方法：在沉积非磁性层时在主溅射腔内原位更换掩膜，即 在沉积时利用掩膜挡住第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元 件上非磁性层的溅射，造成第1、3自旋阀元件或第2、4自旋 阀元件上非磁性层的厚度较薄或较厚，然后再拿掉掩膜，溅射 上其余的自旋阀元件材料。本发明可以在一次沉积中即可实现 桥式磁性传感器中的4个自旋阀元件中的两个其钉扎层的方向 与另外两个自旋阀元件的顶扎层方向相反，实现传感器对外磁 场的线性感应，即不需要设置电流偏磁法，也不用设置永磁体 偏磁法，大大简化了制备工艺，可以有效地提高产品的一致性。 |
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