| 专利名称 | 一种探测集成电路衬底噪声的方法 | 申请号 | CN200910025230.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101813748A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 程绮文;张耀辉 | 主分类号 | G01R31/3167(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/3167(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I;G01R23/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种探测集成电路衬底噪声的方法 至一种探测集成电路衬底噪声的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种探测集成电路衬底噪声的方法，设计一个采用PMOS管组成的信号通路，采用折叠式结构的两级放大器，作为衬底噪声探测电路，衬底噪声探测电路包括噪声信号耦合部分和信号放大电路，衬底噪声探测电路给出噪声的准确时域波形，经过快速傅里叶变化，通过频域信息，得到噪声在频域上的特点，同时能避免在信号通路中因使用NMOS管而引入的噪声，进而为如何减少，甚至避免数字电路引入的衬底噪声对敏感的模拟电路的影响，缩短SOC的设计周期和提高其成功率。 |
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