| 专利名称 | 硅基自锐式AFM探针的制备方法 | 申请号 | CN201010503888.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102012439A | 公开（授权）日 | 2011.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李加东;吴东岷 | 主分类号 | G01Q60/38(2010.01)I | IPC主分类号 | G01Q60/38(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 硅基自锐式AFM探针的制备方法 至硅基自锐式AFM探针的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了微纳机械传感器领域中的一种硅基自锐式AFM探针的制备方法，采用顶层硅厚度等于AFM探针针尖高度与悬臂梁厚度之和的双抛双氧SOI片为制备原料，在制备原料的顶面对应AFM探针针尖的位置光刻设置一针尖掩膜，在针尖掩膜的保护下通过完全的湿法腐蚀使针尖自行锐化，直至针尖掩膜脱落、一次成型具有纳米级针尖的AFM探针。应用本发明的技术方案按步骤实施，真正实现了湿法腐蚀一次成型纳米级针尖的AFM探针制作，解决了探针针尖需氧化工艺锐化的问题，进一步降低了AFM探针的制作成本。 |
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