| 专利名称 | 一种光刻机真空曝光装置 | 申请号 | CN201010605511.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102012642A | 公开（授权）日 | 2011.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 邢薇;胡松;赵立新;徐文祥;胡淘;陈磊 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光刻机真空曝光装置 至一种光刻机真空曝光装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种光刻机真空曝光装置，包括：掩模台、掩模板、硅片、密封胶圈、承片台、两个气嘴、柔性铰链、升降台、第一气嘴和真空气嘴；掩模板放在掩模台上，硅片放在承片台上，密封胶圈套在承片台的外侧，承片台通过柔性铰链与升降台相连；掩摸台位于承片台上方，掩摸台上开有V形槽，承片台上开有V形槽，通过对在掩模台上的V形槽与承片台上的V形槽进行抽真空操作，使硅片与掩摸板有良好接触。能够使待曝光的硅片处于真空环境中，克服了其他气体对光刻产生的光折射或反射的影响，提高了硅片的光刻分辨率。 |
1、源头对接，价格透明
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