| 专利名称 | 制备纳米晶电阻转换材料的方法 | 申请号 | CN201010289914.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102011089A | 公开（授权）日 | 2011.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;吴关平;张超;封松林;陈邦明 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;B32B5/16(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 制备纳米晶电阻转换材料的方法 至制备纳米晶电阻转换材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。 |
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