单层有机存储器及其制造方法

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专利名称 单层有机存储器及其制造方法 申请号 CN200510016722.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1688038 公开(授权)日 2005.10.26 申请(专利权)人 中国科学院长春应用化学研究所 发明(设计)人 马东阁;陈江山;林剑;于顺洋 主分类号 H01L51/20 IPC主分类号 H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40;G11C11/21 专利有效期 单层有机存储器及其制造方法 至单层有机存储器及其制造方法 法律状态 专利申请权、专利权的转移 说明书摘要 本发明属于一种有机存储器及其制造方法,涉及 一种单层有机存储器及其制造方法。采用夹层结构,把有机薄 膜NPB或染料掺杂的NPB夹在两个交叉的电极之间,其中一 个电极为金属Ag电极。当在两个电极之间加电压,器件就会 从一个状态开关到另一个状态,这样,通过改变电压,存储的 信息就能够被读、写和擦掉,这个存储过程与所选有机材料和 Ag电极密切相关。这种单层有机存储器具有制造工艺简单, 成本低,体积小,存储容量大,功耗低,读写快,稳定性好的 特点。

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