| 专利名称 | 一种相变存储器快速读取装置及方法 | 申请号 | CN200910195367.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102013271A | 公开（授权）日 | 2011.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 丁晟;宋志棠;陈后鹏;刘波 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储器快速读取装置及方法 至一种相变存储器快速读取装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种相变存储器快速读取装置，其包括待读相变存储单元、充电电路、过冲恢复率检测电路、灵敏放大器电路以及参考电平或参考存储单元。一方面，相变存储单元(在电路上可抽象为电阻)与位线的寄生电容构成RC回路；另一方面，选通MOS管在开关瞬间由饱和区进入线性区，从而会造成过冲现象。不同状态的相变电阻，其过冲之后的恢复速率是不一样的。本方法通过读取过冲以后位线电平的恢复速率，快速的读取相变存储单元的状态，从而加快存储器整体读取速率。另外，快速的读取有助于避免读取操作对相变单元的破坏，达到降低读干扰的目的。 |
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