| 专利名称 | 一种AZO减反射膜制备方法 | 申请号 | CN201010515910.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102031489A | 公开（授权）日 | 2011.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 刁宏伟;鲁伟明;王文静 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种AZO减反射膜制备方法 至一种AZO减反射膜制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种AZO减反射膜制备方法，其特征在于采用射频磁控溅射设备，并在溅射气氛中加入还原性气体，明显改善AZO减反膜的电学及光学参数。本发明所制备的AZO减反射膜在面积为2片x125mmx125mm的基片面积上，可见光范围内平均透过率达90％以上，电阻率达4.4x10-4Ω·cm。本发明适用于太阳能电池顶层减反膜。 |
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