专利名称 | 一种填充方钴矿基复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN200910196619.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102031416A | 公开(授权)日 | 2011.04.27 | 申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司 | 发明(设计)人 | 陈立东;熊震;陈喜红;黄向阳;张文清;何琳 | 主分类号 | C22C12/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C12/00(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种填充方钴矿基复合材料及其制备方法 至一种填充方钴矿基复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种复合材料,所述复合材料包括如下式(I)所示的填充方钴矿基体;IyCo4Sb12?(I),其中,I至少为Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr中的一种,0.05≤y<1,所述复合材料还包括分布在所述填充方钴矿基体内的GaSb颗粒,其中所述复合材料中含有0.05-5mol%的GaSb颗粒。所述复合材料相比未复合纳米GaSb相的热电材料基体而言,材料的Seebeck系数大幅度提高,总热导率略有下降,热电性能指数ZT值在高低温整个温区范围内得到大幅提高,材料的热电转换效率也得到较大改进。本发明工艺简单、容易控制、产业化前景好。 |
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