| 专利名称 | 坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法 | 申请号 | CN200410089075.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1680635 | 公开（授权）日 | 2005.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 郑燕青;陆治平;施尔畏;王绍华;崔素贤 | 主分类号 | C30B15/00 | IPC主分类号 | C30B15/00;C30B29/30 | 专利有效期 | 坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法 至坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体 的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置中，生长 坩埚10与原料补给坩埚8相连通，补给坩埚可套在生长坩埚 的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构 3。提拉旋转系统包括提拉旋转机构2、籽晶杆11。加热控温 机构4与加热元件7相连构成加热控温系统，用以控制坩埚的 温度。称量装置1与提拉旋转机构2和坩埚升降机构3相连接， 根据提拉所得的晶体重量控制生长坩埚或补给坩埚的升降，将 原料补给坩埚中的熔体补入生长坩埚。采用本发明的生长装置 和方法获得的单晶成分均匀性高、成分可调整、光学均匀性好、 尺寸大，本发明的生长设备简单、成本低。 |
1、源头对接，价格透明
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