| 专利名称 | 多层堆叠的存储器及其制造方法 | 申请号 | CN201010512040.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102034804A | 公开（授权）日 | 2011.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘旭焱;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 多层堆叠的存储器及其制造方法 至多层堆叠的存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。 |
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