| 专利名称 | 常压燃烧合成氮化硅粉体的方法 | 申请号 | CN200410039170.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1657404 | 公开（授权）日 | 2005.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 李江涛;杨筠;林志明 | 主分类号 | C01B21/068 | IPC主分类号 | C01B21/068;C04B35/584;C04B35/622 | 专利有效期 | 常压燃烧合成氮化硅粉体的方法 至常压燃烧合成氮化硅粉体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于非氧化物超细氮化硅陶瓷粉体的制 备技术领域，涉及常压燃烧合成氮化硅粉体的方法，特别涉及 常压连续化燃烧合成氮化硅粉末的方法。本发明是由Si粉和催 化剂按重量份比为Si∶催化剂＝94～40∶3～30的比例混合， 然后加入氮化硅进行粉体活化处理，随后于常温常压条件下诱 发燃烧合成反应。本发明的特点是不需要高压反应装置，只需 将粉末松装于耐高温的多孔反应器中，反应即可在微正压的氮 气氛或流动氮气或空气中进行。粉体活化处理有利于调整反应 温度，合成产物中主要物质是 Si3N4，主晶相为占总重量85～95％的α－ Si3N4粉。本发明具有生产周期短、节约能源、设备投资少。 |
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