| 专利名称 | 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液 | 申请号 | CN200410093370.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1648190 | 公开（授权）日 | 2005.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张楷亮;宋志棠;封松林 | 主分类号 | C09K3/14 | IPC主分类号 | C09K3/14 | 专利有效期 | 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液 至高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数 介电材料钛酸锶钡(BaxSr1－ xTiO3，BST)化学 机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳 米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌 剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染 环境，主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料 及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶 钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法 平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡，抛光后表面的粗糙度降 至0.8nm以下，抛光速率达200～300nm/min；抛光后表面全 局平坦度高，损伤较少，是制备超高密度动态存储器(DRAM) 及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。 |
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