合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法

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专利名称 合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法 申请号 CN200410011299.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1645559 公开(授权)日 2005.07.27 申请(专利权)人 中国科学院长春应用化学研究所 发明(设计)人 潘道成;王强;姬相玲;蒋世春;安立佳 主分类号 H01L21/00 IPC主分类号 H01L21/00;H01L33/00;H01L31/18;H05B33/12;H01S5/00;B82B3/00;C01B21/00;C01B17/00;C01G11/00;C09K11/08 专利有效期 合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法 至合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法 法律状态 授权 说明书摘要 本发明提供一种硒化镉和硒化镉/硫化镉核壳结 构量子点半导体发光材料的合成方法,采用氧化镉、碳酸镉、 烷基羧酸、油酸、硒脲、硫脲为原料,在油酸或三正辛基氧化 膦或十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺的包覆下,烷基羧 酸镉或油酸镉的甲苯溶液与硒脲或硫脲的水溶液在界面反应 形成半导体纳米微粒,且稳定地存在于甲苯中,所制备的半导 体纳米颗粒在紫外灯能实现波长可调的可见光。

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