| 专利名称 | 阴极真空电弧源薄膜沉积装置及沉积薄膜的方法 | 申请号 | CN201010135514.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101792895A | 公开（授权）日 | 2010.08.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 汪爱英;李洪波;柯培玲 | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 专利有效期 | 阴极真空电弧源薄膜沉积装置及沉积薄膜的方法 至阴极真空电弧源薄膜沉积装置及沉积薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种阴极真空电弧源薄膜沉积装置，包括具有高速传输等离子与有效过滤宏观大颗粒的磁性过滤部分，该磁性过滤部分包括管体与设置在管体外部周缘的磁场产生器，管体包括管体入口端面和管体出口端面，管体入口端面与管体出口端面之间至少有一个弯管，并且该弯管两侧管体的轴线之间的夹角为135°；该装置内惰性气体的通入量为10～50sccm，抽真空后真空度是1.0×10-5～5.0×10-5Torr。与现有技术相比，本发明的阴极真空电弧源薄膜沉积装置可以实现有效过滤宏观大颗粒，同时高速传输等离子体，从而提高了薄膜的质量与沉积速率。通过本发明的方法可以高速沉积薄膜，沉积的薄膜结构致密，表面光滑、均匀区面积大，可以用于沉积高性能的ta-C薄膜。 |
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