| 专利名称 | 采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法 | 申请号 | CN200510023173.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1632957 | 公开（授权）日 | 2005.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张永刚;刘天东;李爱珍;齐鸣 | 主分类号 | H01L31/101 | IPC主分类号 | H01L31/101;H01L31/18 | 专利有效期 | 采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法 至采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材 料的紫外增强光电探测器及制作方法，其特征在于以半绝缘砷 化镓单晶材料作为探测器的衬底，在其上采用外延方法生长特 定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层， 以达到紫外增强光吸收效果并消除其对红外光的响应，并采用 合适的掺杂方式在其中构成PN结。外延材料采用特定的选择 刻蚀工艺制作出台面结构，经钝化保护后制作出接触电极，并 选用相应的抗反射增透膜进一步提高其短波响应。此种光电探 测器可应用于火焰探测、紫外和可见光波段光度测量、尾焰跟 踪、生物及化学气体检测、紫外线防护等方面，并可与红外波 段的光电探测器进行单片或混合集成构成双色探测器。 |
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