| 专利名称 | 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用 | 申请号 | CN200410084490.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1632023 | 公开（授权）日 | 2005.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张楷亮;宋志棠;封松林;陈邦明 | 主分类号 | C09G1/18 | IPC主分类号 | C09G1/18 | 专利有效期 | 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用 至硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料 GeSbTe化学机械抛光(CMP)的无磨料抛光液及该化学机械抛 光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP无磨料 抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、抗蚀剂、表面活 性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、 不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料 GexSbyTe (1－x－y)的CMP。利用 上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料 GexSbyTe (1－x－y)，(0≤x≤0.5， 0≤y≤1.0，且 x、y不同时为0)制备纳电子器件相变存储器， 方法简单易行。 |
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