| 专利名称 | 一种制作复合半导体薄膜材料的方法 | 申请号 | CN201010247619.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102373470A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李冬梅;侯成诚;刘明;周文;汪幸;闫学锋;谢常青;霍宗亮 | 主分类号 | C23C28/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C28/00(2006.01)I;G01N30/00(2006.01)I;G01N27/407(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作复合半导体薄膜材料的方法 至一种制作复合半导体薄膜材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作复合半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO3靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO3薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO3和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。利用本发明，实现了在常温下声面波气体传感器对低浓度H2S气体的检测，且提高了手持式SAW气体传感器对H2S气体的灵敏度与选择性。 |
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