| 专利名称 | 硒化镉和碲化镉量子点的合成方法 | 申请号 | CN200410011201.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1631793 | 公开（授权）日 | 2005.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 王强;潘道成;聂伟;蒋世春;姬相玲;安立佳 | 主分类号 | C01G11/00 | IPC主分类号 | C01G11/00;C01B19/04 | 专利有效期 | 硒化镉和碲化镉量子点的合成方法 至硒化镉和碲化镉量子点的合成方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于溶剂热法合成硒化镉和碲化镉量子 点的方法，该方法是以含2～18个碳原子的烷基羧酸镉或氧化 镉为镉源，硒粉和碲粉分别为硒源和碲源，镉源和硒源或碲源 的摩尔比为5∶1－1∶5，并使用三辛基膦溶解硒粉和碲粉，油 酸、十六烷基胺或三辛基氧化膦为包裹剂，镉源和包裹剂的摩 尔比为1∶2－1∶6，苯、甲苯、环己烷、正己烷或正庚烷为溶 剂，镉源的浓度为0.001－0.015M，在高压釜内140－180℃的 条件下加热0.8－16小时来完成反应的，并且通过改变反应时 间获得不同尺寸的硒化镉和碲化镉量子点。合成的硒化镉和碲 化镉量子点具有较窄的尺寸分布，表现为较窄的荧光发射，硒 化镉量子点荧光发射峰半峰宽为22－33nm，碲化镉量子点荧 光发射峰半峰宽为29－35nm。 |
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