| 专利名称 | 热电堆红外传感器及其制作方法 | 申请号 | CN201010267981.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102384790A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 欧文 | 主分类号 | G01J5/14(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/14(2006.01)I | 专利有效期 | 热电堆红外传感器及其制作方法 至热电堆红外传感器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种热电堆红外传感器及其制作方法，所述热电堆红外传感器包括：衬底，所述衬底内具有沟槽；吸收层，位于所述衬底上方；反射层，位于所述沟槽外的衬底表面，与所述吸收层之间具有空腔；热电偶对组成的悬臂梁，位于所述沟槽的上方，所述热电偶对的冷端与衬底连接，热端通过支撑柱与其上方的吸收层连接。所述沟槽内表面具有释放阻挡层。由于采用共振吸收方式来提高红外吸收效率，反射层、吸收层及其介质层为常规IC工艺中所用的材料和工艺制作，因此，可以很容易的与现有IC工艺兼容，降低制作成本，有利于大范围的推广应用。 |
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