| 专利名称 | 一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法 | 申请号 | CN201010271246.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102386239A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 孙浩;王伟;李凌云;艾立鹍;徐安怀;孙晓玮;齐鸣 | 主分类号 | H01L29/868(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/868(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法 至一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层，二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面，通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触；阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明，在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻，同时，平面结构有效降低了工艺难度，提高了工艺成品率，更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。 |
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