| 专利名称 | 半导体结构的制造方法 | 申请号 | CN201010269267.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102386095A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构的制造方法 至半导体结构的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构的制造方法，包括：a)提供n型场效应晶体管，所述晶体管包括源区、漏区和第一栅极，b)在所述n型场效应晶体管上形成拉应力层，c)去除所述第一栅极，以形成栅极开口，d)进行退火，使得在源区和漏区中记忆拉应力层产生的应力，e)形成第二栅极，f)去除所述拉应力层，以及g)在所述n型场效应晶体管上形成层间介质层。本发明的方法利用替代栅工艺和应力记忆技术，在源/漏区记忆更大的应力，从而改进电子的迁移率，提高半导体结构的整体性能。 |
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