| 专利名称 | 一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法 | 申请号 | CN201010247579.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102374915A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 毋正伟;陈德勇;王军波 | 主分类号 | G01L9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01L9/00(2006.01)I;G01L1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法 至一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法，涉及MEMS封装技术，为单芯片级封装方法，包括步骤，a)将陶瓷环焊接在管座上；b)将一对大小相同、充磁方向相反的磁铁平行固定在管座上表面，位于陶瓷环的内部，并以陶瓷环中心对称，磁铁充磁方向垂直于管座上表面，两磁铁之间正上方形成水平磁场；c)粘片，将加工好的传感器芯片气密性键合在陶瓷环的正上方，谐振梁长度方向与磁铁平行放置方向相同；d)焊引线，利用引线键合技术将芯片上的电极与管座管针连接；e)真空封装，将管帽和管座真空焊接在一起。本发明方法，具有封装结构简单，封装复杂度小，封装尺寸小，成本低，稳定性好，便于批量生产等优点。 |
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