| 专利名称 | 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 | 申请号 | CN201010608061.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102130039A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;王中党;叶斐;曹共柏;林成鲁;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 专利有效期 | 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 至采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；采用两步热处理工艺热处理器件衬底；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。并且在热处理器件衬底的工艺中仅采用了两步热处理步骤，而将第三步高温热处理步骤与后续加固键合界面的步骤整合成一步，从而降低了工艺复杂度，节约了工艺成本并提高了工艺效率。 |
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