| 专利名称 | 一种填充冗余金属的方法 | 申请号 | CN201010615066.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102130043A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 马天宇;陈岚;阮文彪;李志刚;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种填充冗余金属的方法 至一种填充冗余金属的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体制造工艺的填充冗余金属的方法，通过结合模拟平坦性和提取金属线间电容，以对冗余金属填充进行评估和调整，并且通过多次迭代过程消除电路版图的所有平坦性热点和电容热点，从而既能够确保CMP后的电路版图厚度的一致性，以提高芯片的良率，又能够防止芯片的功能因为冗余金属的引入而遭到破坏，以确保电路版图中金属线的信号完整性。 |
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