| 专利名称 | 直流辉光等离子体装置及金刚石片的制备方法 | 申请号 | CN201110040168.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102127755A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 朱晓东;丁芳;詹如娟;倪天灵;柯博 | 主分类号 | C23C16/503(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/503(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C23C16/27(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/04(2006.01)I | 专利有效期 | 直流辉光等离子体装置及金刚石片的制备方法 至直流辉光等离子体装置及金刚石片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种直流辉光等离子体装置，包括：电极系统、水冷真空系统和电源控制系统，所述电源控制系统包括脉冲直流电源。本发明提供的装置可以在高气压条件下采用放电的脉冲运行，有效地抑制辉光向弧放电转移，能够得到稳定的高气压直流辉光放电等离子体。本发明还提供一种直流辉光等离子体的处理方法和一种金刚石片的制备方法，采用从脉冲到稳态运行来产生高气压辉光等离子体。脉冲运行有效地抑制辉光向弧放电转移，同时维持等离子体的稳定；此外通入氩气有利于获得稳定的均匀等离子体。由于稳定的高气压均匀等离子体中含有大量的活性粒子，可以大大提高金刚石片的生长速率。 |
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