| 专利名称 | 一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法 | 申请号 | CN201110054585.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102127803A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李红军;胡克艳;徐军;郭鑫;苏良碧;陈伟超;钱小波;唐慧丽 | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法 至一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法，为坩埚下降法，其特征在于：所述坩埚为长方体状异形坩埚，包括上部的埚体和下部的籽晶槽，所述籽晶槽与所述埚体由平滑过渡的弧面相连接，且籽晶槽与埚体均呈长方体状，长方体埚体相邻侧面为平滑过渡的倒角圆弧；所述籽晶槽的宽度小于埚体的宽度，籽晶槽的长度与埚体的长度相等。本发明通过采用特制形状的异形坩埚，利用熔体下降法技术，制得了大尺寸、高质量的能满足LED衬底用的c面蓝宝石晶体，且成品率高；提高了蓝宝石材料的利用率，有效的降低了成本；并且该生长技术过程操作简单，易于控制和自动化生产。 |
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