| 专利名称 | 一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法 | 申请号 | CN201010591103.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102127371A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 苏州天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张贺;陈小龙;黄青松;王锡铭 | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法 至一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于高质量抛光碳化硅晶片表面的抛光液、抛光液的制备方法以及使用该抛光液的方法。该抛光液由去离子水、二氧化硅抛光液、辅助氧化剂、pH调节剂配制而成。利用此方法配制的抛光液无气味，分散均匀，状态稳定，无沉淀，可适当循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，50倍显微镜下观测无明显划痕且平整、均与，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到纳米级。该抛光液的使用循环次数，可以通过改变加入辅助氧化剂和pH调节剂的量或者二者不同的比例来调节。 |
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