| 专利名称 | Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法 | 申请号 | CN201110038941.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102127817A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;刘海龙;佘广为 | 主分类号 | C30B33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 专利有效期 | Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法 至Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域，特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl2溶液中进行浸泡，取出后晾干；再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，并放入管式炉的中心加热；在加热过程中，通入惰性气体作为保护气，最终在单晶硅基片上得到Si/NiSi核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行，所制备的Si/NiSi核壳结构纳米线阵列具有极低的电阻率，在基于Si纳米线器件领域具有巨大的潜在应用价值。 |
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