| 专利名称 | 一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件 | 申请号 | CN201010540071.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468210A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑;钟汇才 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 专利有效期 | 一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件 至一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的隔离结构及其制造方法、以及具有该结构的半导体器件，涉及半导体制造领域。该隔离结构包括：沟槽，嵌入于半导体衬底中；氧化层，覆盖所述沟槽的底壁和侧壁；以及隔离材料，位于所述氧化层上的沟槽中；其中，位于所述沟槽侧壁的上部的氧化层中包括富镧氧化物。通过采用本发明的沟槽隔离结构，使得富镧氧化物中的金属镧会扩散到栅堆叠的氧化物层的拐角处，因此能够降低由于窄沟道效应带来的影响，同时可以对阈值电压进行调节。 |
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