| 专利名称 | 半导体存储单元、器件及其制备方法 | 申请号 | CN201010541159.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468303A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明 | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体存储单元、器件及其制备方法 至半导体存储单元、器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体存储单元、器件及其制备方法。该半导体存储单元，包括：衬底；沟道区，位于衬底上方；栅区，位于沟道区上方；源区和漏区，位于衬底上方，沟道区的两侧；埋层，位于衬底和沟道区之间，由禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度窄的材料构成。由于埋层的禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度要窄，从而在埋层形成空穴势垒，存储在埋层中的空穴将面临势垒很难泄露出去。通过上述方法，可以提高采用浮体效应的存储单元的信息保持时间。 |
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