| 专利名称 | 高频频率源装置 | 申请号 | CN201010544425.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468851A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王显泰;吴旦昱;刘洪刚;刘新宇 | 主分类号 | H03L7/26(2006.01)I | IPC主分类号 | H03L7/26(2006.01)I | 专利有效期 | 高频频率源装置 至高频频率源装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高频频率源装置。该高频频率源装置包括：单片GaN?HEMT微波振荡器，用于产生高功率的微波振荡信号；锁相电路，用于接收微波振荡信号，实现对单片GaN?HEMT微波振荡器输出的微波振荡信号的锁相；倍频电路，用于接收单片GaN?HEMT微波振荡器产生的经过锁相的微波振荡信号，并将微波振荡信号倍频到预设高频频率后输出。本发明高频频率源装置克服了现有技术中基于二极管负阻结构的高频频率源装置噪声性能差的缺陷，具有低噪声、可调谐性能高、稳定性能好的优点。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障