| 专利名称 | 一种大高宽比衍射光学元件的制作方法 | 申请号 | CN201010544430.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102466967A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 谢常青;李海亮;史丽娜;朱效立;刘明 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大高宽比衍射光学元件的制作方法 至一种大高宽比衍射光学元件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种大高宽比衍射光学元件的制作方法，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光实现透射衍射光学元件的制作，在透射薄膜衬底面溅射电镀种子层，然后旋涂负性光刻胶，再次利用X射线曝光，并显影电镀刻蚀电镀种子层，进而形成大高宽比衍射光学元件。本发明利用电子束直写制备X射线光刻掩模，利用X射线进行两次曝光的方法，制备出高宽比可以达到10∶1衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠、易于批量制备且与传统的光刻工艺兼容的优点。 |
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