| 专利名称 | 高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法 | 申请号 | CN201010541134.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468131A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;李永亮 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法 至高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法，主要步骤如下：1)在器件隔离形成后，在硅衬底上依次形成界面SiO2/高K栅介质/金属栅/多晶硅/硬掩膜叠层栅结构；2)光刻形成胶图形；3)刻蚀叠层栅结构；4)将步骤3的产品浸没于腐蚀溶液中去除聚合物，腐蚀溶液配比为氢氟酸0.2～1％，盐酸5～15％，其余为水。本发明采用氢氟酸(HF)/盐酸(HCl)混合的水溶液化学湿法腐蚀，在室温下就能去净叠栅两侧及硅衬底表面残留的聚合物，不仅保持陡直的叠栅刻蚀剖面，并对硅衬底不造成损伤，与CMOS工艺兼容性好，成本低。 |
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