| 专利名称 | 接触电极制造方法和半导体器件 | 申请号 | CN201010531985.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468326A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 接触电极制造方法和半导体器件 至接触电极制造方法和半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种半导体器件，包括：衬底；栅极部分，形成在所述衬底上；源极部分和漏极部分，分别位于所述栅极部分的相对侧；接触电极，与所述源极部分和/或所述漏极部分相接触，其中所述接触电极在与所述源极部分和/或所述漏极部分接触的一端具有增大的端部。在本发明中，由于在与源极部分/漏极部分接触的界面，增大了接触电极的接触面积，实现了接触电阻的降低，从而确保/增强了半导体器件的性能。本发明还提出了用于制造前述半导体器件(尤其是其中的接触电极)的方法。 |
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