| 专利名称 | 采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法 | 申请号 | CN201010542475.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468221A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 闫江 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法 至采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法，包括：形成第一类型MOS的高K介质/金属栅(HKMG)；形成并金属化第一类型MOS和第二类型MOS的源漏极的下接触孔，同时形成第二类型MOS的HKMG，其中所述源漏极下接触孔中填充有与第二类型MOS的金属栅所用相同的材料；形成并金属化第一类型和第二类型MOS的金属栅的接触孔以及源漏极上接触孔，其中源漏极上接触孔与源漏极下接触孔对准。该方法降低了接触孔刻蚀及金属淀积的难度，简化了工艺步骤，并且使器件的可靠性提高。 |
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