| 专利名称 | 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 | 申请号 | CN200410067487.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1617357 | 公开（授权）日 | 2005.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 叶振华;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 主分类号 | H01L31/101 | IPC主分类号 | H01L31/101;H01L31/0296;H01L27/146 | 专利有效期 | 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 至碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测 器列阵芯片，该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合 结构，避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯 片性能参数几乎接近于常规单波段HgCdTe焦平面器件性能。 这说明本发明采用的混合结构的技术方案是合理的、可行的。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障