| 专利名称 | 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法 | 申请号 | CN200410067217.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1610113 | 公开（授权）日 | 2005.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘卫丽;宋志棠;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/092 | IPC主分类号 | H01L27/092;H01L21/8238 | 专利有效期 | 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法 至一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体 (CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明 的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连 接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶 薄膜，本发明提出低温键合和低温剥离的工艺，将单晶薄膜转 移到绝缘层上，并在此单晶薄膜上制备器件有源层。本发明提 出的三维CMOS没有改变CMOS的基本结构，采用常规的 CMOS工艺和设备条件就可实现高密度集成，工艺方法简单， 并可减少金属互连线的长度和层数，提高器件的速度。 |
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