| 专利名称 | 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法 | 申请号 | CN200410067219.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1610127 | 公开（授权）日 | 2005.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘卫丽;宋志棠;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L29/78 | IPC主分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 专利有效期 | 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法 至一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管 的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、 顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底 栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧 化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而 尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质 量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的 制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单 晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上 制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成 高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管。 |
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