| 专利名称 | 碳缺位型碳化钨铝烧结体的制备方法 | 申请号 | CN200410011177.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1605412 | 公开（授权）日 | 2005.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 马贤锋;鄢俊敏;赵伟;汤华国;祝昌军;蔡曙光;赵波 | 主分类号 | B22F3/12 | IPC主分类号 | B22F3/12 | 专利有效期 | 碳缺位型碳化钨铝烧结体的制备方法 至碳缺位型碳化钨铝烧结体的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于碳缺位型碳化钨铝烧结体的制备方 法，烧结原料为铝取代量为50％的碳缺位型碳化钨铝，化学式 为 (W0.50Al0.50)C1－x，x＝0.01－ 0.50，粉末，在压力为270－500MPa的情况下压制成直径为 1cm的圆柱形坯体，再将此坯体装入高压模具中，最后将装好 坯体的模具放入高压烧结设备中，在压力为3－5.5Gpa，温度 为1300－1700℃的条件下，保温5－30分钟即可得到碳缺位型 碳化钨铝的不含粘结相的致密烧结体。 |
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