| 专利名称 | 可用于相变存储器多级存储的相变材料 | 申请号 | CN200410067987.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1604210 | 公开（授权）日 | 2005.04.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;封松林;陈邦明 | 主分类号 | G11B7/24 | IPC主分类号 | G11B7/24;G11C13/04 | 专利有效期 | 可用于相变存储器多级存储的相变材料 至可用于相变存储器多级存储的相变材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种可用于相变存储器多级存储的 相变材料。其特征在于所述的相变材料为掺杂氮或硼的 Ge2Sb2Te5存储材料，其掺杂量为 0.01－10原子百分比的氮或0.01－5原子百分比的硼。相变材 料结构状态的改变将伴随着电阻性能的变化，其变化幅度可以 达到多个数量级，脉冲电压可以使相变材料在不同的结构状态 之间可逆转换，利用不同状态间电阻性能的改变可以实现相变 存储器的多级存储，从而突破传统的“0”与“1”的存储模式， 并且可以在不改变存储器器件结构的情况下大幅度提高存储 器的密度。 |
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