| 专利名称 | 具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器 | 申请号 | CN200410081170.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1601610 | 公开（授权）日 | 2005.03.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 曾中明;韩秀峰;张谢群;瑞哈娜;赵静;姜丽仙;詹文山 | 主分类号 | G11B5/33 | IPC主分类号 | G11B5/33;G11B5/39 | 专利有效期 | 具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器 至具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有共振隧穿效应的双势垒 隧道结传感器，包括：一个下部层(L1)，该下部层(L1)由铁磁 性材料或半铁磁性材料制成；一个形成于所述下部层(L1)之上 的第一隧道绝缘层(I1)；一个形成于所述第一隧道绝缘层(I1)之 上的中间层(L2)，该层由铁磁性材料或半金属磁性材料或非磁 性金属材料或半导体材料制成；一个形成于中间层(L2)之上的 第二隧道绝缘层(I2)；和一个形成于第二隧道绝缘层(I2)之上的 上部层(L3)，该层由铁磁性层或半金属磁性层构成。采用这种 结构，由于电子在隧穿两个部隧道绝缘层过程中发生共振隧穿 效应而具有较高的TMR值，因而用这种隧道结制作的磁传感 器有更高的分辨率。 |
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