| 专利名称 | 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法 | 申请号 | CN200410053752.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1599068 | 公开（授权）日 | 2005.03.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/02 | IPC主分类号 | H01L27/02;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 | 专利有效期 | 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法 至一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器 件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加 电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变 层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬 底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含 有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在 2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电 子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方 便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实 现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现 存储器向纳电子器件的方向转变。 |
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